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MICRON DDR4 SDRAM

發(fā)布時(shí)間：2022-04-24 17:03:57     瀏覽：1099

MICRON DDR4 SDRAM是高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器，內(nèi)部配備有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM選用8N預(yù)取構(gòu)造，實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。8N預(yù)取構(gòu)造與接口相結(jié)合，設(shè)計(jì)適用于在I/O引腳上每時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)項(xiàng)。MICRON DDR4 SDRAM的單次讀寫(xiě)操作包括在內(nèi)部DRAM內(nèi)核上進(jìn)行一次8N位寬的四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸，及其在I/O引腳上進(jìn)行兩次相應(yīng)的n位寬的半時(shí)鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。MICRON DDR4 SDRAM是DRAM的下一次開(kāi)發(fā)，它提供了更高的性能和更強(qiáng)大的控制作用，同時(shí)提高了企業(yè)、微型服務(wù)器、筆記本電腦和超薄客戶端應(yīng)用程序的能源經(jīng)濟(jì)性。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。

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MICRON.png

Product

Clock Rate (CK)


Data Rate


Density

Prefetch (Burst Length)

Number of Banks


Max

Min

Min

Max




SDRAM

10ns

5ns

100 Mb/s

200 Mb/s

64–512Mb

1n

4

DDR

10ns

5ns

200 Mb/s

400 Mb/s

256Mb–1Gb

2n

4

DDR2

5ns

2.5ns

400 Mb/s

800 Mb/s

512Mb–2Gb

4n

4，8

DDR3

2.5ns

1.25ns

800 Mb/s

1600 Mb/s

1–8Gb

8n

8

DDR4

1.25ns

0.625ns

1600 Mb/s

3200 Mb/s

4–16Gb

8n

8，16


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