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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  MTI-Milliren 240系列OCXO：通信與網(wǎng)絡(luò)同步的高精度頻率解決方案 2024-12-09 08:52:59

  MTI-Milliren的240系列OCXO（恒溫晶體振蕩器）廣泛應用于通信系統(tǒng)、無線基礎(chǔ)設(shè)施、測試和測量設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)同步。其頻率范圍為75kHz至30MHz，熱穩(wěn)定性為2.0E-08至5.0E-07，工作溫度范圍為-40至+85°C，年老化率為2.0E-08至5.0E-07。該系列產(chǎn)品支持5V至15V的供電電壓，供電電壓敏感度為5.0E-09至5.0E-08，提供正弦波（0至+11dBm）或CMOS輸出，諧波低至-30dBc。預熱時間為5分鐘，預熱功耗為4.5W至7.0W，連續(xù)功耗為1.2W至2.0W，調(diào)諧范圍為±5.0E-07至±4.0E-06，調(diào)諧電壓為0至+10V。