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1、廈門大學(xué)碩士學(xué)位論文氫吸附在鉑電極上的量子化學(xué)研究姓名:施平申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):物理化學(xué)指導(dǎo)教師:徐昕2000.8.1星塑查蘭型蘭堡!::堡苧莖塑壅一行了初步研究。主要結(jié)果摘要如下:1基于童塞鋈魚鎣盒友法旦!Ⅸ£鎏,我們利用簇模型模擬了H在Pt電極不同晶面上不同吸附位的哩雎互茲,研究了包括電場和表面覆蓋度籌因素對吸附性質(zhì)的影響并解釋了光譜實驗數(shù)據(jù)。/(1)分別用[HPt,(5,o)】5和[颶Pt,(5,o)】5兩種吸附簇模擬不同電位
2、下低握蓋度和高覆蓋度頂位吸附的鉑電極(too)表面。計算結(jié)果表明Pt—H鍵的振動光譜強度與表面覆蓋度及電極電位有關(guān),高覆蓋度和較負的電位有利于增強PtH鍵的拉曼譜強度;實驗中PtH鍵振動頻率隨電位負移而產(chǎn)生紅移是由于高覆蓋度下Pt—H鍵側(cè)向作用的結(jié)果。(2)采用帶電簇和施加均勻電場的方法,考查了兩種方法模擬電極電位變化的效果。其計算結(jié)果表明,帶電簇模型較好地再現(xiàn)了表面增強拉曼光譜的實驗結(jié)果。實際過程中調(diào)節(jié)電極電位的結(jié)果是改變了金屬電極的
3、費米能級,從而實現(xiàn)頻率調(diào)幅。但由于Pt與H電負性較接近,PtH鍵具有較強的共價性,場模型中電場對簇的HOMO和LUMO能量影響不大;而帶電簇模型中,HOMO和LUMO能量發(fā)生顯著變化,體現(xiàn)出了電位改變金屬電極費米能級的效果。因而模擬電極電位更為合理些。(3)采用[HPhO,1)】8吸附簇模擬了H在Pt電極(111)面hcp穴位吸附的結(jié)果。計算結(jié)果表明中性條件下H在hop穴位存在潛表面物種的可能性不大,但負電位有利于出現(xiàn)潛表面H:有限場的
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