2W級Ka波段功率放大器設(shè)計.pdf

1、單片射頻微波集成電路（MMIC）這一技術(shù)為現(xiàn)代通信、傳感、定位、識別系統(tǒng)提供了重要的核心電路以及集成組件，對現(xiàn)代各種無線技術(shù)的發(fā)展和成功起到了十分關(guān)鍵的作用，在對功率放大器芯片的研究方面成為了國內(nèi)外爭先研究的熱點。在增益、噪聲、功率等方面贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT）具有非常良好的特性，贗配高電子遷移率晶體管憑借其如此多的優(yōu)良特性成為了微波與毫米波單片集成電路領(lǐng)域最有優(yōu)勢的有源器件之一。
　　按照設(shè)計目標，論文設(shè)計的Ka頻段

2、MMIC功率放大器是采用多級、多路合成的方法來完成，對制造工藝的有源器件和無源元件進行了介紹和分析，對晶體管進行了熱設(shè)計，通過電路拓撲結(jié)構(gòu)的選取、匹配電路和偏置電路的設(shè)計，完成了對電路進行了優(yōu)化和仿真，并在版圖調(diào)整規(guī)則下，確定了功率放大器最終電路版圖，然后對放大器進行了co-simulation、熱分析以及成品率分析，最終和Triquint公司的TGA4516芯片做了對比。
　　本論文重點進行了Ka波段PHEMT MMIC功率放大

3、器的電路設(shè)計，通過ADS軟件，利用0.13um GaAs PHEMT工藝實現(xiàn)了一個27~39GHz單片功率放大器的仿真設(shè)計。該放大器采用二級驅(qū)動四級，四級驅(qū)動八級的三級放大的拓撲結(jié)構(gòu)，第一級晶體管尺寸為8330um，第二級晶體管尺寸為8340um，第三級晶體管尺寸為12340um。在芯片27~39GHz的工作頻帶內(nèi)，達到了18.6dB的小信號增益，飽和輸出功率也達到了33dBm，輸入輸出電壓駐波比小于2：1，芯片面積為2.900mm32