相變存儲器測試芯片測試技術(shù)研究.pdf

1、相變存儲器是目前發(fā)展最快的一種新型非揮發(fā)性存儲器,與傳統(tǒng)存儲器不同的是它是利用相變材料在晶態(tài)和非晶態(tài)時表征的具有極大差異的電阻值來存儲信息的,需要脈沖形式的電壓或電流提供能量來發(fā)生相變,這就對現(xiàn)有的測試方法和測試技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。本文針對相變存儲器的特點,提出了相變存儲器電特性的測試方法及實現(xiàn)這些測試方法的測試系統(tǒng)解決方案。
　　相變存儲器的電特性參數(shù)主要包括存儲介質(zhì)晶態(tài)與非晶態(tài)時電阻率,存儲單元的閾值電壓和閾值電流,發(fā)生相變所

2、需要的擦脈沖和寫脈沖的參數(shù),存儲功能參數(shù)等。本文給出了以上各參數(shù)的測試方法,并給出了相變存儲器芯片外圍電路測試方法和芯片功能驗證流程。相變存儲器測試芯片測試系統(tǒng)由控制、激勵、檢測和接口模塊構(gòu)成。系統(tǒng)中利用LabView圖形化編程易介入的特點,增強了測試系統(tǒng)的可操作性和靈活性。結(jié)合模擬開關(guān),利用傳輸線路上的寄生儲能單元,采用控制傳輸路徑長度間接控制脈沖寬度的方法,實現(xiàn)了對輸出測試脈沖信號的高精度控制,并設(shè)計了一種基于二分法的可編程混合信號