a-Si-H中的光致Er熒光及缺陷熒光研究.pdf

1、該文研究了N,Er的聯(lián)合摻雜對a-Si的作用.所有樣品采用射頻輔助磁控濺射方法制備.隨著N摻雜濃度的增加,Er PL的熱猝滅效應(yīng)下降.但Er PL的發(fā)光強(qiáng)度也隨之減少.該實(shí)驗(yàn)還進(jìn)一步研究了退火處理對Er摻雜a-SiN∶H的Er PL的影響,發(fā)現(xiàn)Er摻雜a-SiN∶H的Er PL強(qiáng)度由于退火而增加.在DRAE模型中,SiDBs對Er<'3+>的激發(fā)起到了重要的作用.為了研究這種作用,我們制備了各種不同Si DBs密度的Er摻雜a-Si∶H

2、樣品.該文采用以下三種方法改變Ss DBs密度:(1)在濺射環(huán)境中改變Ar∶H<,2>氣體比例;(2)光照射;(3)退火.在前兩種方法中,Er PL的發(fā)光強(qiáng)度都隨著Si DBs密度的增加而減少.在退火處理的情況下,Er PL的變化分為兩個階段:隨著溫度上升到250℃,SiDBs密度下降,Er PL的發(fā)光強(qiáng)度增加;隨著溫度繼續(xù)上升到350℃,Er PL的發(fā)光強(qiáng)度也相應(yīng)上升,但Si DBs密度也同向增加.Er PL強(qiáng)度的增加可能是由于退火引