直拉單晶硅內(nèi)吸雜研究.pdf

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文直拉單晶硅內(nèi)吸雜研究姓名：湯艷申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：闕端麟楊德仁2002.6.1浙篷大學(xué)磚榜辯雷家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩擘譴論文區(qū)和A缺陷區(qū)，OSFring區(qū)很難得到較好的潔凈區(qū)，而鼠氧沉淀的薰較小。這是因?yàn)樵?SFring區(qū)的這些大尺寸原生氧沉淀無(wú)法在第一步離溫遇火過(guò)程中被溶解，導(dǎo)致了潔凈區(qū)難阻生成；程voids醚和A～缺陷區(qū)釃原鴦氧沉淀盡管尺寸較小，偶密度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于0SF—ring區(qū)，所黻在低溫長(zhǎng)

2、時(shí)瀚的邋炙過(guò)程中麓充分長(zhǎng)大，鼠蕊導(dǎo)致了程隨藉的第三步高溫運(yùn)火過(guò)程中氧浚淀豢要離于OSF—ring囂。此鳋，本文jc重囊摻懿硅片靂Ramping工藝進(jìn)行內(nèi)吸雜處理，簪交不同豹囂湛速率下重?fù)焦杵o凌吸袈效慕；羹摻硼攆晶在27]／min囂濕速率豹Ramping處理中縟到了潔凈區(qū)，恧在l℃／min和0。5。C／min的升溫速率Ramping處理中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)潔凈區(qū)。說(shuō)明較快的升溫速率使得氧沉淀的長(zhǎng)大速率小于氧沉淀核心臨界形核半徑長(zhǎng)大的速度，升溫過(guò)程