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文檔簡介
1、本論文主要研究了Si襯底GaN藍光LED器件的一些性能:可靠性,結(jié)溫特性,I-Ⅴ曲線與其結(jié)晶性能關(guān)系。得到了如下一些有意義和部分有創(chuàng)新性的研究結(jié)果: 1.將Si襯底GaN藍光LED與藍寶石襯底GaN藍光LED樣品在工作電流為20mA時,放在120℃高溫環(huán)境中加速老化3個小時,未見Si襯底GaN藍光LED光強發(fā)生衰減,而藍寶石襯底GaN藍光LED光強有少許衰減,這間接證明了Si襯底GaN藍光LED有良好可靠性。 2.本文首
2、次報道Si襯底GaN基LED的結(jié)溫特性,分析指出:和結(jié)溫與電流的對應(yīng)關(guān)系相比,用結(jié)溫與電流密度更能夠反映器件性能。通過與藍寶石襯底上GaN藍光LED的結(jié)溫比較,發(fā)現(xiàn)Si襯底GaN藍光LED有更低的結(jié)溫,原因歸結(jié)為Si有更好的導熱性。 3.首次報道Si襯底GaN藍光LED的理想因子。首次發(fā)現(xiàn)了理想因子和X射線斜對稱衍射(102)半峰寬有很好的對應(yīng)關(guān)系,理想因子大的樣管,其外延材料(102)衍射半峰寬大,反之亦然。這表明GaN藍光L
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