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文檔簡(jiǎn)介
1、根據(jù)先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司的生產(chǎn)實(shí)際,該文主要研究了熱載流子注入柵氧中對(duì)器件性能的影響以及用熱脫附譜研究摻磷氧化硅吸收水分這兩個(gè)問(wèn)題.1)在熱載流子分析與模擬中,通過(guò)建立一個(gè)熱載流子注入柵氧中的模型來(lái)深入研究熱載流子對(duì)柵氧影響的主要機(jī)理,并且用這個(gè)模型來(lái)模擬在熱載流子注入情況下器件的內(nèi)部電場(chǎng)、襯度電流、閾值電壓的跨導(dǎo)隨時(shí)間的變化,并對(duì)實(shí)際MOSFET作了I-V特性曲線的跨導(dǎo)變化量隨偏壓時(shí)間的實(shí)驗(yàn)測(cè)試.2)熱脫附譜(TDS)研究H<,2>
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