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文檔簡介
1、隨著半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)入深亞微米時(shí)代,將開關(guān)電源集成到SoC內(nèi)部將成為未來集成電路設(shè)計(jì)的主流。由于模擬電源的特征尺寸無法隨著工藝尺寸的減小而減小,同時(shí),低頻數(shù)字電源仍然需要很大的片外電感與電容,因此,數(shù)字化高頻化儼然成為當(dāng)今開關(guān)電源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
本文設(shè)計(jì)一款高頻BUCK型開關(guān)電源數(shù)字PWM控制器。一方面,論文完成了基于FPGA的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)物驗(yàn)證,其中,數(shù)字脈寬調(diào)制器(DigitalPulseWidthModulation,
2、DPWM)采用二階∑-△調(diào)制器與計(jì)數(shù)器相結(jié)合的全數(shù)字實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu),配合以控制算法、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(AnalogtoDigitalConverter,ADC)模塊以及拓?fù)潆娐窐?gòu)成整個(gè)閉環(huán)系統(tǒng)。另一方面,基于計(jì)數(shù)器結(jié)構(gòu)的DPWM存在功耗大的缺點(diǎn),不適合進(jìn)行高頻數(shù)字電源的ASIC設(shè)計(jì),因此,論文提出基于二階∑-△調(diào)制技術(shù)和模擬延遲鎖定環(huán)(DelayLockLoop,DLL)技術(shù)的DPWM實(shí)現(xiàn)方案,其中,模擬DLL技術(shù)將DPWM工作頻率降低至開關(guān)頻率,
3、大幅度降低了DPWM模塊的功耗,同時(shí),輸出時(shí)鐘相位差不受工藝、電壓以及溫度(ProcessVoltageandTemperature,PVT)的影響,保證PWM的調(diào)節(jié)線性度為1;模擬DLL為該結(jié)構(gòu)DPWM設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)與難點(diǎn),本文將單獨(dú)基于Charter0.18μm工藝對(duì)其進(jìn)行流片驗(yàn)證。
在輸入電壓3.3V、開關(guān)頻率20MHz、電感值471nH和電容值27nF的測(cè)試條件下,系統(tǒng)滿足輸出電壓1.8V,額定負(fù)載電流500mA以及2%
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