2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文硅基GaN歐姆接觸及紫外探測(cè)器的研究姓名：李嘉煒申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：葉志鎮(zhèn)2002.6.1浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文硅基GaN歐姆接觸及紫外探測(cè)器的研究AbstractThisworkwassuppoaedbyTalentsAcrosstheCenturyoftheMinistryofEducationofChinaandNationalNaturalScienceFoundationofChi

2、naunderGrantNo69890230Thetitleofthisprojectis‘‘GrowthofGaNonsubstratesiliconanditsapplications”Inrecentyears，GalliumNitrideasawidebandgapsemiconductorhasattractedmoreandmoreattentionandadvancedrapidly，mainlyduetoitspromi

3、singapplicationsinshortwavelightemittingdevices，photodetectors，aswellasanti—radiation，highfrequencyandhighpowerelectronicdevicesUptodate，itisstillveryhardtogrowGaNbulkcrystals，sotheheteroepitaxialgrowthofhighqualityGaNth

4、infilmsisthepremiseforthedevelopmentofGaNbaseddevicesAtthesametime，therapidprogressondevicesrequiresbeRerohmiccontactbetweenmetalsandGaN，somuchmoreresearchworkmnstbecarriedoutatonceInthispaper，wefirstpresentedacomprehens

5、ivereviewoftheresearchhistoryandcurrentstatusofGaNmaterialpreparationandcharacterizationsOnthebasisofourrenovatedHWBEsystem，weconductedadetailedstudyofGaNepitaxyInaddition，theprimaryinvestigationofthispaperistheohmiccont

6、actbetweenmetalsandGaN，andwemadephotodetectorsbasedonGaN／SiThemainworkincludethreecontentsasfollowing：1、Forthefirsttime，wereportedwurtzitesinglecrystallineGaNonSi(111)substratesusingpolycrystallineGaNasabufferlayerinaver

7、ysimplereactiveevaporationtechniquebyHWBE2、WeresearchedthesituationofohmiccontactbetweenAlelectrode、Ti／AlelectrodeandnGaNwithdifferentannealingconditionsByusingXRDandSIMSanalyticmethods，weputupanewconceptaboutelectrodean

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