2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、第一章題解-1第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動形成的。()(5)結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點(diǎn)。(

2、)(6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。()解:(1)√(2)(3)√(4)(5)√(6)二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(1)PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)設(shè)二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是。A.ISeUB.C.TUUIeS)1e(S-TUUI(3)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(4)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為

3、。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(5)UGS=0V時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有。A.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C.耗盡型MOS管解:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)A第一章題解-3五、某晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示,其集電極最大耗散功率PCM=200mW,試畫出它的過損耗區(qū)。圖T1.5解圖T1.5解:根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40V時IC=5mA,UCE=30V時IC≈6

4、.67mA,UCE=20V時IC=10mA,UCE=10V時IC=20mA,將各點(diǎn)連接成曲線,即為臨界過損耗線,如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。六、電路如圖T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。試問:(1)Rb=50kΩ時,uO=?(2)若T臨界飽和,則Rb≈?解:(1)Rb=50kΩ時,基極電流、集電極電流和管壓降分別為μA26bBEBBB???RUVIV2mA6.2CCCCCEBC?????R

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