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文檔簡介
1、本文以TC4合金為研究對象,首先,利用非平衡磁控濺射技術(shù)制備了具有Cr、Ti和Si過渡層的類金剛石(Diamond-like carbon,DLC)薄膜,探究了過渡層對DLC薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響,考察了反應磁控濺射參數(shù)(基底偏壓、沉積氣壓、甲烷流量和濺射功率)與DLC薄膜結(jié)構(gòu)、力學和摩擦學性能的關聯(lián);其次,以不同基底偏壓下制備的DLC薄膜為基礎,利用有限元方法模擬了不同膜層順序(偏壓調(diào)控的軟硬薄膜)、調(diào)制周期、調(diào)制比例對多層DLC薄膜承
2、載能力的影響;最后,依據(jù)有限元模擬的結(jié)果,實驗制備了多層DLC薄膜,通過測試薄膜力學及摩擦學性能,研究了多層薄膜的承載能力。主要結(jié)論如下:
a.過渡層基本不改變DLC薄膜的結(jié)構(gòu),不同過渡層DLC薄膜的內(nèi)應力與各材料之間的線膨脹系數(shù)有關,Si/DLC薄膜具有最低的內(nèi)應力(~0.44GPa),Cr/DLC薄膜具有最高的臨界載荷(~25.42N);基底偏壓對DLC薄膜結(jié)構(gòu)、力學和摩擦學性能影響最大,隨基底偏壓的升高,薄膜的石墨化程度
3、加重,硬度、楊氏模量和內(nèi)應力逐漸降低;偏壓-800V時薄膜具有最高的結(jié)合強度(~25.32N),且呈現(xiàn)了較低的摩擦系數(shù)(0.05)和較長的磨損壽命。
b.不同膜層順序雙層DLC薄膜系統(tǒng)的應力/應變分布相似,最大徑向壓應力出現(xiàn)在壓頭底部薄膜表面,最大的剪切應力出現(xiàn)在遠離對稱軸薄膜內(nèi)部,塑性應變僅出現(xiàn)在基底;軟-1000V/硬-800V和軟-1000V/硬-600V薄膜系統(tǒng)具有較低的徑向應力、剪切應力、等效應力和彈/塑性應變;調(diào)制
4、周期的增加不僅改變了系統(tǒng)的應力/應變分布,而且大大降低了應力最值,超過2周期應力最值逐漸升高;隨調(diào)制比例(即硬薄膜厚度)的增加,徑向應力最值逐漸降低,剪切應力最值先增加后降低,等效應力最值逐漸增加;綜合分析有限元模擬的結(jié)果,膜層順序(軟-1000V/硬-600V、軟-1000V/硬-800V和軟-1000V/硬-400V)、調(diào)制周期(2、3和4周期)和調(diào)制比例(1:1、1:2和1:3)薄膜系統(tǒng)具有較高的承載能力。
c.多層結(jié)構(gòu)
5、的引入提高了DLC薄膜的承載性能,相對于單層DLC薄膜,多層DLC薄膜具有更高的臨界載荷和承載能力。不同結(jié)構(gòu)多層DLC薄膜實驗研究與有限元模擬結(jié)果基本一致,軟-1000V/硬-600V、軟-1000V/硬-800V、軟-1000V/硬-400V薄膜系統(tǒng)摩擦失效載荷分別為11、17、10N;調(diào)制周期的增加大大提高了薄膜與基底的結(jié)合強度(~31N),3周期薄膜系統(tǒng)硬度最高(~18.68GPa),2、3、4周期薄膜系統(tǒng)摩擦失效載荷分別為14、
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