轉(zhuǎn)移矩陣法求解纖鋅礦Ⅲ族氮化物多層核殼納米線中的界面光學(xué)聲子.pdf

1、纖鋅礦GaN及其三元混晶廣泛用于光電器件，可通過(guò)調(diào)制材料組分改進(jìn)其性質(zhì)核殼納米線。核殼結(jié)構(gòu)納米線(CSNW)利用集成度高，可克服短溝道效應(yīng)以及通過(guò)減少表面缺陷獲得高電子遷移率等優(yōu)勢(shì)在納米器件領(lǐng)域展示出應(yīng)用前景。多層核殼結(jié)構(gòu)納米線(CMSNWs)常用作發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池以及晶體管的功能單元。在低維多層體系中，界面光學(xué)聲子(IOP)與電子的相互作用對(duì)光電性質(zhì)有重要影響。本文以GaN-CSNW為例討論纖鋅礦CMSNWs中界面光學(xué)聲子的轉(zhuǎn)移

2、矩陣法(TMM)求解。
　　本文主要依據(jù)介電連續(xù)模型和單軸晶體模型，討論多殼層核殼納米線中IOP的轉(zhuǎn)移矩陣數(shù)值解法及其特點(diǎn)。本文以三層及四層GaN/InxGa1-xN/InyGa1-yN/InzGa1-zN核殼納米線為例，驗(yàn)證方法的適用性，并進(jìn)一步討論CMSNWs中IOP的種類(lèi)、支數(shù)，及其存在條件、色散關(guān)系和聲子靜電勢(shì)等特點(diǎn)。計(jì)算表明，轉(zhuǎn)移矩陣法適用于CMSNWs中IOP的求解。IOP以界面的可能組合的方式分類(lèi)，其特征如下:

3、>　　(1)體系材料的特定組分下，存在特定種類(lèi)的IOP，且各自有特定頻率區(qū)間;
　　(2)纖鋅礦Ⅲ族氮化物CMSNWs中IOP的色散關(guān)系是所有相鄰兩層材料所組成的核殼納米線(CSNW)中界面光學(xué)聲子色散關(guān)系的組合，從而獲得n界面CMSNWs中最多有2n支lOP的規(guī)律，與層狀體系中的2n原則相符;
　　(3)IOP靜電勢(shì)峰值的位置取決于多層核殼納米線中各層材料In組分的大小?；赥MM，我們可以進(jìn)一步討論纖鋅礦Ⅲ族氮化物CMS