有限深量子阱中電子遷移率的壓力效應(yīng).pdf

1、本文考慮量子阱中三類(lèi)光學(xué)聲子模的影響，采用介電連續(xù)模型，運(yùn)用力平衡方程討論了GaAs／A1<,x>Ga<,1-x>As有限深量子阱中光學(xué)聲子模對(duì)電子平行于界面方向遷移率的影響及其壓力效應(yīng)，并給出壓力下遷移率隨溫度的變化關(guān)系，所得的結(jié)果在零壓下與實(shí)驗(yàn)相符。同時(shí)，還給出了混晶效應(yīng)對(duì)電子遷移率的影響。 采用矩形量子阱模型，利用弗留里希矩陣元處理電子一聲子相互作用，同時(shí)計(jì)入量子阱結(jié)構(gòu)中局域體光學(xué)聲子模，半空間體光學(xué)聲子模及界面光學(xué)聲子模

2、的作用，僅考慮電子占據(jù)基態(tài)時(shí)的情形，研究量子阱中電子遷移率的壓力效應(yīng)。對(duì)GaAs／Al<，x>Ga<，l-x>As量子阱的數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明，三類(lèi)聲子對(duì)電子的遷移率的影響分別在不同阱寬時(shí)起作用：在寬阱時(shí)，局域體聲子起主要作用，隨著阱寬變窄，界面聲子的影響逐漸增強(qiáng)，在阱很窄時(shí)，半空間體模起主要作用．在給定阱寬L=124A時(shí)，當(dāng)溫度較低時(shí)，界面聲子模對(duì)電子的散射高于局域體聲子模，隨著溫度的增加，體模的作用逐漸增加，且二者對(duì)遷移率的影響都不可忽