2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩69頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、Gab/基HEMT器件具有較寬的禁帶，高二維電子氣濃度，高電子遷移率以及高擊穿電壓等特性因而在高微波功率器件上有著極大的應(yīng)用潛力。為了減小柵泄漏電流，MOS結(jié)構(gòu)被添加到GaN器件中，而隨著器件進(jìn)入納米尺度，作為MOS結(jié)構(gòu)傳統(tǒng)柵介質(zhì)的SiO2材料將無(wú)法應(yīng)對(duì)粒子的隧穿效應(yīng)，因此以高κ材料作為柵介質(zhì)的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件開(kāi)始被人們廣泛研究。
　　 本文首先利用ISE-TCAD搭建了以HfO2作為柵介質(zhì)的AlGaN/

2、GaNMOS-HEMT器件。在此基礎(chǔ)上，對(duì)Al組分和AlGaN層厚度對(duì)二維電子氣密度的影響進(jìn)行了模擬分析，接下來(lái)對(duì)器件的轉(zhuǎn)移特性、跨導(dǎo)、輸出特性、器件的擊穿電壓以及低頻下的電容特性進(jìn)行了模擬，并對(duì)器件在不同的參數(shù)條件下的直流性能進(jìn)行了研究與分析。
　　 本文還研究了不同脈沖條件對(duì)高κ柵介質(zhì)的MOS-HEMT器件電流崩塌程度的影響情況，然后本文對(duì)抑制電流崩塌效應(yīng)的措施進(jìn)行了模擬，首先對(duì)以不同材料(SiN，HfO2，SiO2)作為鈍

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論