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1、目前,稀土氧化物薄膜在許多不同技術(shù)領(lǐng)域被廣泛運(yùn)用,其介電常數(shù)(k(La2O3)=27, k(Gd2O3)=16)較高,在硅襯底上熱力學(xué)穩(wěn)定(高于ZrO2和HfO2),因此在高K材料方面將會(huì)有良好的應(yīng)用前景。由于稀土氧化物在高K材料方面的潛在利用價(jià)值,使金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和原子層沉積(ALD)等制備高質(zhì)量薄膜相關(guān)技術(shù)得到了高速發(fā)展。但是兩種技術(shù)都要求能夠設(shè)計(jì)并合成出具有合理?yè)]發(fā)性的稀土配合物前驅(qū)體,這對(duì)合成化學(xué)家將是一個(gè)巨
2、大的挑戰(zhàn)。
本論文主要工作包括以下兩個(gè)方面:
一、均配型酰胺基稀土配合物的合成與表征:
無(wú)水三氯化鑭和酰胺的鋰鹽按摩爾比1:3的比例,在嚴(yán)格無(wú)水無(wú)氧的條件下,合成了一系列均配型酰胺基稀土配合物L(fēng)a[R'(NCO)R]3×nC7H8(2a: R=Ph, R'=I-Pr, n=1; 2b: R=Ph, R'=t-Bu, n=0; 2c: R=Ph, R'=Cy, n=1; 2d: R=Ph, R'=
3、I-Bu, n=0; 2e: R=I-Pr, R'=Cy, n=0; 2f: R=I-Pr, R'=t-Bu, n=0; 2g: R=t-Bu, R'=I-Pr, n=0). 并對(duì)所合成的配合物用元素分析、核磁共振氫譜和碳譜等方法進(jìn)行了表征,最后利用TG-DSC對(duì)合成的部分配合物的熱穩(wěn)定性和分解機(jī)理進(jìn)行了初步研究,還對(duì)配體[t-Bu(NHCO)Ph]進(jìn)行了X-射線單晶衍射測(cè)試。
二、陰離子型酰胺基稀土/堿金屬配合物的合成與
4、表征:
無(wú)水三氯化釓和酰胺的鋰鹽按摩爾比1:3的比例,在嚴(yán)格無(wú)水無(wú)氧的條件下,合成了一系列陰離子型酰胺基稀土/堿金屬配合物{GdLi[R'(NCO)R]4}m×nC7H8(3a: R=Ph, R'=I-Pr, n=0; 3b: R=Ph, R'=t-Bu, m=2, n=2; 3c: R=Ph, R'=Cy, m=2, n=2; 3d: R=Ph, R'=I-Bu, n=0; 3e: R=I-Pr R'=Cy, n=0;
5、3f: R=I-Pr R'=t-Bu, n=0; 3g: R=t-Bu, R'=I-Pr, n=0). 并對(duì)所合成的配合物用元素分析、X-單晶衍射等方法進(jìn)行了表征。配合物Gd2Li2[t-Bu(NCO)Ph]8×2C7H8(3b), 單斜晶系P21/n,a=16.890(3)?, b=13.234(2)?, c=23.402(3)?, α=90°, β=109.65(3)°, γ=90°, Z=2. 配合物Gd2Li2[C6H11(NC
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