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1、本課題主要研究合成多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)改性的發(fā)光稀土配合物,使改性后的雜化稀土配合物有更高的熒光相對(duì)強(qiáng)度和熒光壽命。用帶有氨基的POSS改性吡啶類配體,合成共價(jià)鍵合的雜化配體,并使其與稀土離子合成雜化配合物;之后又在硅溶膠中摻雜上述合成的雜化配體和稀土銪離子,使雜化配合物分散在SiO2基質(zhì)中,研究這種POSS改性的共價(jià)鍵合的雜化配合物再通過(guò)弱鍵作用摻雜于SiO2基質(zhì)后的熒光性能。
對(duì)合成的材料進(jìn)行了以下表征:紅外光
2、譜、質(zhì)譜、XRD。紅外光譜和質(zhì)譜測(cè)試證明了共價(jià)鍵接枝的POSS改性的雜化配體的生成,采用紫外吸收光譜和熒光光譜測(cè)試證實(shí)了合成的雜化稀土配合物在紫外光區(qū)有很好的吸收并且其熒光譜具有鮮明的銪離子特征發(fā)射峰,說(shuō)明了POSS改性的新式結(jié)構(gòu)的稀土配合物的生成,但未摻雜于SiO2基質(zhì)中的雜化配合物熒光壽命為0.6ms,熒光性能沒有明顯增強(qiáng)。
對(duì)摻雜于SiO2基質(zhì)中的雜化配體和稀土離子的合成條件進(jìn)行了分析,得出多氨基POSS改性時(shí)用原位合成
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